高壓雙極型晶體管基極驅(qū)動(dòng)的基本條件

電源適配器在離線反激變換器中用到高壓雙極型晶體管的地方也許會(huì)碰到800V級(jí)別的電壓。Vceo額定值在400~1000V之間的高壓晶體管與低壓三極管的對(duì)應(yīng)性能會(huì)有點(diǎn)不同。這是由于高壓器件的結(jié)構(gòu)與低壓器件的結(jié)構(gòu)有根本的不同。

為了獲得更有效、更高速和更可靠的開(kāi)關(guān)效果，我們應(yīng)該使用正確的基極驅(qū)動(dòng)電流波形，為了很好地解釋它，先來(lái)簡(jiǎn)單了解高壓雙極型晶體管的物理特性。

一般情況下高壓器件的集電極部分有一塊比較厚的高阻材料區(qū)域，同時(shí)在基一射區(qū)是低阻材料。如果采用不合適的波形驅(qū)動(dòng)，在基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)下降沿的時(shí)候這些材料的電阻特性就可能會(huì)給基一射極一個(gè)反偏電壓。這個(gè)反偏電壓有效地截?cái)嗔嘶?射間二極管，從而使得晶體管進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)。在關(guān)閉的邊沿集電極電流轉(zhuǎn)向基極，給了這個(gè)二極管一個(gè)關(guān)閉動(dòng)作。那么此時(shí)三極管的集電極一基極區(qū)的工作特性就和一個(gè)反偏二極管的工作特性一樣，它顯示為一個(gè)緩慢的恢復(fù)特性曲線并且有大的恢復(fù)充電。

二次擊穿

對(duì)于具有集電極感性負(fù)載的晶體管，在關(guān)閉邊沿時(shí)刻這種緩慢地恢復(fù)特性曲線是相當(dāng)麻煩的，而集電極接的電源適配器變壓器漏感可以看成感性負(fù)載。

在集電極電感的續(xù)流作用下，晶體管在關(guān)閉的邊沿時(shí)刻，保持導(dǎo)通的芯片部分繼續(xù)保持導(dǎo)通，繼續(xù)維持以前建立起來(lái)的集電極電流。因此，晶體管在關(guān)閉邊沿時(shí)刻不僅導(dǎo)致了一個(gè)緩慢的、耗散的關(guān)閉，還會(huì)導(dǎo)致因電流被迫逐漸流入一個(gè)小的傳導(dǎo)區(qū)而造成的芯片溫度上升的“熱點(diǎn)”。

正是這個(gè)“熱點(diǎn)”使芯片過(guò)載并會(huì)產(chǎn)生水久的失效，這種現(xiàn)象一般稱(chēng)為“反向偏壓的二次擊穿”。

不正確地關(guān)斷驅(qū)動(dòng)波形

令人驚訝的是，對(duì)于集電極負(fù)載為電感的高壓三極管來(lái)說(shuō)，這個(gè)在關(guān)斷期間積極快速的反向基極驅(qū)動(dòng)的出現(xiàn)成了導(dǎo)致二次擊穿故障的主要原因。

在這種過(guò)分的反向關(guān)斷的驅(qū)動(dòng)條件下，載流子從緊挨著基極的區(qū)域被清除掉，給基射極之間加上一個(gè)反向的偏壓。它有效地切斷了發(fā)射極與調(diào)整管內(nèi)部與其他部分的聯(lián)系。在集電結(jié)中相對(duì)較小的、高阻的區(qū)域?qū)⒃?μs~2μs內(nèi)緩慢地增大，使集電極電流流入芯片中逐漸縮小的部分。

結(jié)果，不僅它的開(kāi)關(guān)動(dòng)作將會(huì)變得相對(duì)較慢，芯片導(dǎo)通區(qū)域上承受的應(yīng)力也會(huì)逐漸增大。這樣將導(dǎo)致熱點(diǎn)的形成，甚至可能也會(huì)像前面提到的那樣，將引起器件的故障。