機(jī)柜接地線(xiàn)帶來(lái)的輻射

B 產(chǎn)品進(jìn)行輻射發(fā)射測(cè)試時(shí)，在不帶業(yè)務(wù)線(xiàn)只帶DC電源線(xiàn)和地線(xiàn)條件下發(fā)現(xiàn) 30M～300MHz 低頻段內(nèi)干擾很大，超出 B 級(jí)限值約 20dBuV/m。

經(jīng)查，B 產(chǎn)品在的 BGND 和 PGND 在機(jī)內(nèi)匯接，通過(guò)較長(zhǎng)的導(dǎo)線(xiàn) AG 與機(jī)柜屏蔽體相連接，參見(jiàn)下圖所示。

因?yàn)锳G 線(xiàn)較長(zhǎng)， 上面存在比較大的高頻阻抗， 可有效感應(yīng)到機(jī)內(nèi)各種干擾信號(hào)。 機(jī)柜殼體與接地點(diǎn) A 存在高頻電壓 VAG，接地線(xiàn)AG 形成發(fā)射天線(xiàn)，造成整機(jī)輻射發(fā)射嚴(yán)重超標(biāo)。

將接地線(xiàn)改為在機(jī)外，PGND 與機(jī)柜直接短接，使 AG 近似為 0，即 VAG＝0，從而消除接地線(xiàn)與機(jī)柜殼體的天線(xiàn)效應(yīng)。改進(jìn)后，重新測(cè)試，從下圖可看出，低端輻射大幅度下降，整機(jī)輻射發(fā)射在Class B 限制線(xiàn)下且有 6dB 余量。

這個(gè)案例告訴我們：屏蔽體內(nèi)部的地線(xiàn)一定要短，保證內(nèi)部干擾不耦合到接地線(xiàn)上。對(duì)于屏蔽機(jī)柜，接地點(diǎn)要選擇在機(jī)柜的外表面，對(duì)于非屏蔽機(jī)柜，接地點(diǎn)盡量選擇在機(jī)柜外表面，如果一定要選擇內(nèi)表面，內(nèi)部走線(xiàn)一定要短。

電纜連接器搭接不良導(dǎo)致輻射超標(biāo)

某產(chǎn)品輻射發(fā)射測(cè)試超標(biāo)，經(jīng)過(guò)定位，當(dāng)設(shè)備引出E1 線(xiàn)后， 輻射發(fā)射測(cè)試結(jié)果就超標(biāo)。 問(wèn)題確認(rèn)為 E1 端口問(wèn)題。

將E1 電纜與接口連接器拆開(kāi)后發(fā)現(xiàn)：E1 電纜屏蔽編織層只通過(guò)幾條金屬絲焊接到 DB68 連接器金屬外殼上。在高頻情況下，幾條金屬絲上面必定存在著較大的交流阻抗，也就是說(shuō)電纜的屏蔽層和設(shè)備的屏蔽機(jī)殼之間不能形成電氣連續(xù)的屏蔽體。機(jī)箱內(nèi)表面的干擾可以從線(xiàn)纜屏蔽層和機(jī)箱之間形成的縫隙中泄漏出來(lái)，耦合到電纜屏蔽層上，形成對(duì)外輻射。

將E1 電纜屏蔽層與 DB68 連接器金屬殼用銅箔包好，并在銅箔與屏蔽層、 銅箔與銅箔交接處進(jìn)行焊接，使銅泊與連接器良好搭接。 處理后， 測(cè)試結(jié)果完全能達(dá)到限值要求，并且還滿(mǎn)足余量。

處理后的E1 電纜連接器和屏蔽層形成一個(gè)整體