晶體管有源啟動(dòng)電路

圖所示為一種更有效、反應(yīng)更快的基本電路，它是具有一個(gè)高壓晶體管Q1的啟動(dòng)系統(tǒng)。在此電路中要選擇電阻R1、R2和Q1的增益，使Q1在剛通電后不久被偏置進(jìn)入一種完全飽和導(dǎo)通的狀態(tài)。

圖1。8。2低損耗的有源晶體管啟動(dòng)電路，從300V直流電提供初始低壓輔助充電器

當(dāng)C1、C2充電時(shí)，電流流經(jīng)R1、R2流入Q1的基極，使Q1完全導(dǎo)通。剛開始時(shí)齊納二極管ZD1不導(dǎo)通，因?yàn)镃3和Q1基極的電壓是低的。隨著Q1的導(dǎo)通，一個(gè)大得多的電流會(huì)流入低阻值的R3，并給C3充電。

在此電路中，R3可以有一個(gè)比圖1。8。1所示電路中的R1和R：小得多的阻值。這不會(huì)導(dǎo)致過(guò)多的損耗或使效率變低，因電流只會(huì)在啟動(dòng)期間流經(jīng)RQ1將在C充完電后關(guān)斷，并將在接下來(lái)的整個(gè)啟動(dòng)期間運(yùn)行于一種飽和導(dǎo)通的狀態(tài)，因此它的功耗仍然非常小。應(yīng)使R1有一個(gè)高的浪涌額定值，可用線繞式電阻或碳素混合體電阻。

通電后，電容C3將相當(dāng)快地充電，則Q1的發(fā)射極和基極之間的電壓將跟蹤這個(gè)上升的電壓+Vbe，直到Q1基極的電壓達(dá)到齊納電壓ZD1，在此點(diǎn)上ZD1開始導(dǎo)通，使得Q1進(jìn)入線性運(yùn)行狀態(tài)并使流入C3的充電電流減小。此時(shí)在Q1上形成電壓和功耗，然而，旦變換器正常的工作狀態(tài)形成，則從主變壓器上的附加繞組上來(lái)的正反饋將通過(guò)D6和電阻R4提供電流給C3從而C3上的電壓將繼續(xù)增大，直到Q1的基一射極被反向偏置而完全關(guān)斷。

此時(shí)，二極管D5導(dǎo)通，C3兩端的電壓將被齊納二極管ZD1和二極管D5鉗位，ZD1的功耗取決于R4的電壓和較大輔助電流的值，在Q1關(guān)斷后，流過(guò)R3的電流也為零，所以R3和Q1的功耗都將降為零。

因?yàn)閱?dòng)動(dòng)作很快，此處的R3和Q1可用很小型的元件，不需要散熱器。為了避免在變換器故障時(shí)Q1和R3上出現(xiàn)危險(xiǎn)的功耗狀況，應(yīng)使R能夠維持連續(xù)的通電，否則會(huì)不安全，可熔電阻或者正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻具有固有的自我保護(hù)特性，用于這種場(chǎng)合是比較理想的。

此電路能夠支持相當(dāng)大的啟動(dòng)電流，這給驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)帶來(lái)了更大的自由。

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